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谢茂海:关于单层MoSe2 中一维镜面畴界之电子态的空间调制问题(时间1.7)
【 作者:  校对时间:2021年01月05日 08:56  访问次数: 】

报告人:谢茂海 教授 香港大学物理系

报告时间:2021171030

报告地点:物理楼B304

主办单位:光伏材料省重点实验室  拓扑功能材料研究中心

欢迎光临!

  报告摘要:大量实验表明,在外延的MoSe2 单层薄膜中会自发形成大量的镜面畴界,而该畴界表现为一维金属,其低能激发态呈现出一系列奇特物性。其中一个比较明显的实验特征为空间电荷周期调制,其起源在文献中已提出不同的建议,如量子限制效应、电荷密度波、Moiré效应、 Luttinger 液体等等。我们通过选择不同衬底进行MoSe2薄膜外延生长、通过调节生长条件控制MoSe2薄膜中镜面畴界的长度,并对其进行细致的低温扫描隧穿电镜及谱的测量,从而确立一维畴界之电子金属态的量子限制效应和Friedel 震荡是实验上观测到的空间电荷调制的主要原因,而且,在石墨或石墨烯上的MoSe2畴界,其低能激发态与Luttinger液体行为一致,而在金衬底上的同类畴界更像费米液体。我们基本上排除了Peierls电荷密度波的贡献。

 谢茂海,教授,1985年毕业于天津大学电子工程系,1988年获中国科学院半导体研究所物理学硕士学位,1994年获伦敦大学(帝国学院)物理学博士学位。他于19951997年在伦敦帝国学院做博士后研究,1997年加入香港大学物理系,担任助理教授、副教授和全职教授。20171月至202012月,担任香港大学物理系主任。20092013年,担任香港物理学会主席。谢教授的研究主要是实验凝聚态物理,特别是分子束外延薄膜生长,利用扫描隧道显微镜进行表面表征、电子衍射和光电子光谱研究。他的研究课题包括半导体的外延薄膜和异质结构(例如,GaAs/InGaAsSi/SiGeGaN/InGaN)、拓扑绝缘体(例如Bi2Se3),最近主要研究二维过渡金属硫族化合物(例如MoSe2WSe2MoTe2)。他在Nature, Science, Phys. Rev. Lett. 等国际学术期刊上发表了论文150多篇。



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